GTS Q12

GTS Q12

Estas tarjeta parece simple a la vista, pero su estructura de diseño es lo que las hace muy diferente a las demás. El arreglo de resistores bien seleccionados (en vez de diodos como comúnmente vemos en la mayoría de las bases de potencia convencionales) y los elementos de protección (Zeners), es lo que hace de esta tarjeta que sea superior a las demás comunes.

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Descripción

¿Qué diferencia hay entre las tarjetas simétricas GTS-Q12 con las demás existentes? ¿Cuáles son las principales ventajas que ofrece esta tarjeta?

Estas tarjeta parece simple a la vista, pero su estructura de diseño es lo que las hace muy diferente a las demás. El arreglo de resistores bien seleccionados (en vez de diodos como comúnmente vemos en la mayoría de las bases de potencia convencionales) y los elementos de protección (Zeners), es lo que hace de esta tarjeta que sea superior a las demás comunes.

Entre las principales ventajas que se obtienen de este diseño de las tarjetas Q12 tenemos:
Mosfets Feedback Protection – Proteccion contra realimentación en los Mosfets
La tarjeta simétrica de potencia GTS-Q12 está diseñada para eliminar el efecto de realimentación de corriente cuando uno de los transistores Mosfets cualesquiera se avería o se quema. Gracias a los circuitos divisores de resistencias ó resistores, las corrientes generadas en la fuga de las Gates de cualquier Mosfet se desvía fácilmente a tierra, lo que impide la activación permanente de los demás transistores, evitando así la destrucción de estos.

Entre las principales ventajas que nos ofrecen las bases de potencia GTS-Q12 tenemos:

Evita que un Mosfet averiado ó quemado dañe a los demás.

Esta tarjeta proporciona un circuito de aislamiento tal que impide que, en caso de que se quemen todos los transistores, esto no cause ningún daño al circuito de control (tarjeta de control, osciladora, entre otros).
Puede ser usada con transistores encapsulados tanto en TO-220 como TO-247 /TO-3P (transistores pequeños o grandes).

Puede ser usada en cualquier formato de ensamble: Parada, Acostada y en Lateral.
Puede combinarse muy fácilmente entre sí, para usarse en paralelo y formar una base de potencia mayor(por ejemplo dos GTS-Q12 pueden combinarse para formar una base para 24 Mosfets).
Debido a su fuerte doble capa de cobre sobre el circuito impreso, esta tarjeta no requieren de un reforzamiento adicional como los rellenos de soldadura que normalmente se usa con las demás convencionales.

Uso/Aplicaciones

Todo tipo de inversores simétricos.

Dimensiones:

13.2cm(Largo) x 5cm(Ancho).

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